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2023-05

フィルタインダクタの電源誤動作防止への応用

スイッチング電源のデジタル回路の普及・発展に伴い、電子機器から放射・漏洩する電磁波は、他の電子機器の正常な動作を著しく阻害し、機器の機能不全、伝送エラー、制御不良を引き起こすだけでなく、人間の健康や安全を脅かし、水、空気、騒音などの有形公害の害に劣らない、見えない公害と化してきた。そのため、電子機器における電磁干渉(EMI)の低減は、世界の電子産業の関心事となっている。このため、欧州共同体のEMC委員会の関連政令が1992年1月に施行され、1、1996年1月4日にようやく施行された。この政令は、EMC認証と電気安全認証を一部の製品認証の主要条件としながら、欧州および国際EMC規格の規定を満たさないすべての製品は販売市場に参入できず、違反は厳罰に処されると指摘している。この動きは、世界のエレクトロニクス市場に大きな衝撃を与え、EMCは国際貿易に影響を与える重要な指標となりました。中国でも国際標準に合わせるため、関連するEMC規制を順次策定してきた。このため、中国は電磁両立性規格と実証会議を何度も開催し、1月1日以降に市場に流通する電子機器は、電波干渉に対する抑制策を策定・設計し、抑制部品を配置することを推奨している。そのため、発生する電磁波の干渉が規格で定められたレベルを超えないようにする。1997年1月1日からは、市場に投入されるすべての製品にEMCマークを付けることが義務付けられています。これは、中国の電子製品が国際市場競争に参加するための第一歩となる。

2023-05-18

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2023-05

アニール処理によるSiリッチFeSiBCuNb軟磁性合金の製造原理

アモルファス・ナノ結晶軟磁性合金は、省エネ・環境対応型の新世代材料として、低保磁力Hc、高透磁率μ、良好な周波数特性、高い飽和磁化Msという利点を持ち、インダクタ、磁気増幅器、トランスなどのパワーエレクトロニクス分野で広く利用されている。代表的な組成であるFe-Si-B-Cu-Nb(ファインメットと命名)は、吉澤によって提案され、10nm程度のナノ粒がアモルファスマトリックス中に均一に埋め込まれ、二相複合構造を形成していることが指摘されている。強磁性理論によれば、ナノ結晶材料の磁化機構は主に局所的な結晶磁気異方性と強磁性交換相互作用に依存し、これらは微細構造と密接に関連している。 鈴木は、熱処理によってアモルファスマトリックスからナノ結晶がランダムに析出し、その結果、磁気異方性がランダムに配向すると考えた。 一方、異なる結晶粒間の交換結合により、磁気モーメントが平行に配置され、各結晶粒の磁化容易方向に沿って磁化が進行することが妨げられる。このため、結晶磁気異方性K1は複数の結晶粒によって平均化され、実効異方性<K>は低くなる。 このモデルでは、磁化過程をスピンの一様な回転過程とみなせば、材料の透磁率と保磁力は<K>にのみ関係することになる。したがって、粒径Dが強磁性交換長Lexより小さい場合、結晶粒の微細化は優れた軟磁性特性の実現に寄与する。

2023-05-18

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